本中心成員白奇峰助理教授與工研院記憶體團隊成功開發臺灣第一批次世代自旋軌道矩記憶體。 (2018年7月25日)

白奇峰助理教授與工研院電光系統所的記憶體研發團隊,日前共同發表論文於 IEEE Electron Device Letters,探討次世代記憶元件—自旋軌道矩磁阻式記憶體 (spin-orbit torque magnetoresistive random access memory, SOT-MRAM)—的操控特性與物理機制。此一成果不僅將臺灣製造的第一批 SOT-MRAM 推上國際舞台,更展示了國內紮實的次世代記憶體研發能力和製程技術。

詳細的研究成果請參閱正式發表全文:Pulse-Width and Temperature Effect on the Switching Behavior of an Etch-Stop-On-MgO-Barrier Spin-Orbit Torque MRAM Cell, IEEE Electron Device Letters, Early Access (2018). DOI: 10.1109/LED.2018.2856518。