國立臺灣大學凝態科學研究中心

微觀能譜顯微技術領域

S P E C T R O - M I C R O S C O P Y

原子解析電子能譜顯微術之開發，及基於材料結構與物理特性分析之應用。

發展頻析及時析光譜技術，以研究各種材料之靜態特性及超快動態行為，促進研發具獨特功能之電子及光電材料與元件。

材料表面與介面的物理與化學現象，表面分子吸附，奈米或原子尺度下結構與性質的關聯。近期著重一、二維晶體與超薄膜的表面現象與電荷密度波，與射頻反射顯微鏡技術之開發應用。

研究奈米尺度的光、電、熱、與機械現象並發展其應用潛力。

E M E R G E N T M A T E R I A L S & A D V A N C E D D E V I C E S

以碳與氮元素為基本物質，製作低維度奈米尺度之半導體晶體與薄膜，以開發其特殊之光電性能。並發展新穎尖端單晶材料、配合前瞻材料凝態物理研究。

尖端磁電及奈米氧化物材料與元件之開發。

設計及IV-IV族半導體、分子束磊晶 (矽，鍺，錫等元素)。研究著重於：(a) 奈米結構的光電物理 (低溫及高磁場下之測量)，及(b) 發展下世代以矽為基材的光電器件，如矽基材紅外器件，鍺為基礎的電晶體等。

共軛性有機分子、碳六十衍生物及高分子材料的結構設計、化學合成及其在有機光電元件上的應用。

以理論與計算方法研究各種材料的物化性質，並發展分子理論以提供非線性光學材料的研究。

以光學聚焦浮區爐、化學氣相傳輸法、超高壓高溫合成等技術，並搭配X光繞射結構解析以及材料磁性、比熱等物性鑑定，提供國內外研究單位具影響力與突破性的新材料與高品質單晶。

利用超高壓固態化學合成先端新穎材料，並利用高壓量測與單晶繞射技術，系統性進行晶體結構對稱性元素分析，研究溫度與壓力相變化機制，並以結構觀點說明材料之特異物性。